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瑶芯微电子车规MOSFET获盖世汽车2026金辑奖

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AI 综述

2026年10月26日,盖世汽车报道,瑶芯微电子车规级屏蔽栅沟槽MOSFET芯片AK3G4N005GAM-A荣获盖世汽车2026金辑奖最佳技术实践应用奖。报道称,该芯片面向新能源汽车电机驱动和电池管理场景,在PDFN5×6小型化封装下实测Ron典型值约0.4mΩ,并通过工艺优化降低Ron温度系数;应用于电机驱动系统时,释放的散热余量可转化为更长续航里程和更稳定的扭矩输出。目前公开报道仅涉及获奖信息及芯片技术参数,尚无其他进展披露。

AI 根据报道生成 · 3 小时前更新

报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

10月26日
  1. 盖世汽车精选
    瑶芯微电子车规级MOSFET芯片AK3G4N005GAM-A获盖世汽车2026金辑奖

    瑶芯微电子车规级屏蔽栅沟槽MOSFET芯片AK3G4N005GAM-A荣获盖世汽车2026金辑奖最佳技术实践应用奖。该芯片面向新能源汽车电机驱动和电池管理场景,在PDFN5×6小型化封装下实测Ron典型值约0.4mΩ,通过工艺优化降低Ron温度系数。应用于电机驱动系统时,释放的散热余量可转化为更长续航里程和更稳定的扭矩输出。

本事件热度走势

当前热度 9·可比范围峰值 10(10月26日 17:00)·近 24 小时可比范围变化 –

02.557.51010月26日17:0010月26日18:0010月26日18:0010月26日19:00

趋势仅比较持续完整观测到的相同主体,范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度;键盘可用左右方向键切换。