利普思扬州SiC模块基地封顶，总投资10亿元

无锡利普思半导体扬州生产基地在扬州市江都区封顶，项目为车规级第三代功率半导体模块项目，总投资10亿元，一期投资2亿元。一期达产后将形成年产150万只SiC模块的能力，首期新建3条全自动化车规级SiC模块封装测试产线，预计2027年4月通线。基地建成后将重点承担新能源汽车和固态变压器SiC模块的封装测试产能需求。