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利普思扬州SiC模块基地封顶
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AI 综述
2026年10月21日，盖世汽车报道，无锡利普思半导体位于扬州市江都区的车规级第三代功率半导体模块生产基地已封顶。该项目总投资10亿元，一期投资2亿元；一期达产后将形成年产150万只SiC模块的能力，首期新建3条全自动化车规级SiC模块封装测试产线，预计2027年4月通线。基地建成后将重点承担新能源汽车和固态变压器SiC模块的封装测试产能需求。目前项目处于封顶后待通线阶段，后续产线建设与投产时间以报道披露的2027年4月为目标。
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最新进展10月21日 23:32
利普思扬州SiC模块基地封顶，一期投资2亿元，预计2027年4月通线。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月21日
- 盖世汽车精选利普思扬州SiC模块基地封顶，总投资10亿元
无锡利普思半导体扬州生产基地在扬州市江都区封顶，项目为车规级第三代功率半导体模块项目，总投资10亿元，一期投资2亿元。一期达产后将形成年产150万只SiC模块的能力，首期新建3条全自动化车规级SiC模块封装测试产线，预计2027年4月通线。基地建成后将重点承担新能源汽车和固态变压器SiC模块的封装测试产能需求。